碳化硅晶體原料專用高純4N碳化硅
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型號：YQ-SG10
CAS：409-21-2
YQ-SG10高純碳化硅主要具有以下特性：
1.高純度（4N,99.99%）、粒徑均勻（0.1-1mm，可定制）
2.具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子半導體和光電子器件的理想材料。
主要技術指標：
外觀 | 灰黑色顆粒 |
平均粒徑D50（mm） | 0.5 |
純度（%） | ≥99.99 |
晶型(相） | α相 |
Ca (ppm) | 0.05 |
Al (ppm) | 7.1 |
Fe (ppm) | 4.5 |
Mg (ppm) | 2 |
Na (ppm) | 5 |
應用領域：
用作碳化硅晶體、碳化硅晶片、碳化硅半導體等的原料。
技術支持：
我司可提供4N碳化硅 在碳化硅晶體、碳化硅晶片、碳化硅半導體等應用技術支持，具體應用咨詢請與銷售工程師聯系。
包裝儲存：
1.應密封保存于干燥、陰涼的環境中，不宜長久暴露于空氣中。
湖州源沁新材料有限公司
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